Amplificatore FM per banda 2
metri
in classe C
PROGETTO
E REALIZZAZIONE DI UN AMPLIFICATORE
RADIOAMATORIALE
PER 144-145MHz
Un amico OM
aveva necessità
di potenziare un piccolo modulo trasmittente FM recuperato da un
vecchio ponte
radio civile della Motorola,
opportunamente riaccordato sulle frequenze
radioamatoriali
in banda 2 metri. Il modulo trasmittente non superava 0,6Watt.
Mi fu chiesto se
era possibile buttar giù, nel giro di
qualche giorno, il
disegno di un piccolo amplificatore capace di "sputar fuoco" una
quarantina di Watt o poco meno. Una tale potenza, sulle frequenze radioamatoriali in 2 metri, è illegale
ed, inoltre,
considerata la potenza uscente dal modulo trasmittente, non sarebbe
bastato un
singolo stadio di amplificazione,
poiché passare da
600mW a ben 40Watt significa guadagnare la bellezza di 18dB. Terminata
la
discussione ed analizzati i principali problemi pratici, si decise di
costruire
un più modesto amplificatore da circa 9-10dB e che, in quelle
condizioni, avrebbe "gettato" in aria circa
10Watt.
Poco dopo, la
mia mente
cominciava a rammentare vecchi esperimenti
condotti qualche
anno prima sui trasmettitori televisivi in modulazione VSB
(Banda Laterale
Vestigiale) per aiutare a rimediare alcuni
problemi
di trasferimento video ad una piccola emittente televisiva locale.
Rovistando
tra il vecchio materiale, trovai un nuovissimo transistor SD1274 della
SGS Thomson mai utilizzato prima e
sigillato ancora in busta. “Scartabellai”
subito tra i data sheets
dei
transistors RF della ST ed appurai che il
transistor
in questione è un NPN da 30Watt per gamma 130-230MHz e specifico
per
applicazioni radiomobili FM. Intuii subito
gli
esperimenti televisivi: infatti, un tale componente
avrebbe calzato benissimo per amplificare la potenza di un
trasmettitore di
trasferimento televisivo tra il ponte e la sede dell'emittente o per
una
piccola trasmittente interna da telecamera di qualche Watt televisivo a
larga
banda sulla terza banda televisiva VHF.
Il transistor in
questione
ha tutte le "carte in regola" per un amplificatore radioamatoriale
in 2 metri.
Inoltre, la
potenza
erogabile, con un ingresso di 0,6Watt, è all'incirca di 10Watt
(vedi figura 1).
In possesso sia
dei dati che
del transistor, decisi di andare ben oltre il disegno e di accingermi,
addirittura,
nella realizzazione pratica.
UN
PO' DI TEORIA:
IL BIAS
Il termine
"BIAS"
( si pronuncia [baiaes]), per inglesi ed
americani, è
sinonimo di "pendenza" o "inclinazione". Dal punto di vista
tecnico, con questo termine, si identifica
ciò che noi
italiani chiamiamo "polarizzazione statica" di un componente attivo
come può essere, ad esempio, un transistor o un tubo
elettronico. In effetti, c'è similitudine
tra il significato tecnico e quello
d'uso generico, giacché per "pendenza", i tecnici americani
hanno
sempre e tradizionalmente indicato il punto di lavoro statico di un
transistor
o di un tubo lungo il tratto pendente della propria curva
caratteristica
d'ingresso. Attraverso il BIAS (o polarizzazione di base)
è possibile,
quindi, stabilire in quali normali condizioni deve
operare un componente attivo. La sua importanza è fondamentale
per il corretto
funzionamento di un transistor o di una valvola ed assume importanza
prioritaria
se il transistor o il tubo deve essere usato come amplificatore di
segnale.
Infatti, se in
condizioni di
riposo (cioè sottoposto alla sola
polarizzazione
statica) "energizzo" eccessivamente un
transistor
amplificatore, potrei costringerlo a lavorare in condizioni estreme e
stressanti e quando, poi, gli applicherò il segnale da
amplificare, potrei spingere
le condizioni di lavoro alla saturazione, con il risultato di
distorcere
inevitabilmente il segnale amplificato.
Allo stesso
modo, è come se
avvitassi a fine corsa la vite del minimo del carburatore di un'auto,
con
conseguente grande dispendio di carburante,
eccessivo riscaldamento
e motore sempre su di giri.
Se alimentassimo una valvola amplificatrice
con un BIAS
troppo alto, rischieremmo di esaurirla in breve tempo, volatilizzando
anche
diversi soldini. Al contrario, se non dessimo energia a sufficienza al
transistor, rischieremmo di produrre una distorsione di non
linearità, dato che costringeremmo
il componente a lavorare in una
condizione troppo fiacca e, perlopiù, in una zona di lavoro in
cui esso non risponde
linearmente alle sollecitazioni esterne o, addirittura, spingendolo
all'interdizione, ovvero al suo spegnimento.
E’ chiaro
che usare un BIAS
troppo alto è assolutamente da evitare in ogni caso, mentre
usare un BIAS basso
o nullo o negativo può risultare
utile in determinate
applicazioni. In base alla posizione del punto normale di lavoro
determinato
dal BIAS si possono ottenere ben quattro differenti classi di
funzionamento: A,
B, AB, C.
La figura 2,
a titolo
esemplificativo, mostra i punti di lavoro di un transistor sulle
caratteristiche di ingresso e di uscita
per le quattro
classi di funzionamento ed i relativi "biasing"
(cioè gli spostamenti del punto di lavoro lungo la curva
caratteristica causati
dal segnale entrante). La classe A è
quella per cui il
transistor fa scorrere corrente di collettore per tutta la durata del
periodo
del segnale d'ingresso (conduzione a 360°), riproducendone con una
certa
fedeltà la forma, cioè le variazioni nel tempo in modo
quanto più
proporzionale.
La classe A
è necessaria quando ad un amplificatore si richiede, oltre
l'amplificazione,
anche una buona fedeltà di riproduzione e ciò è
possibile facendo lavorare il
componente attivo nella zona centrale e più lineare delle
caratteristiche
d'uscita; in tal modo, l'onda elettrica amplificata sarà quanto
più proporzionale
possibile alla forma dell'onda d'ingresso ed, inoltre, non sarà
"tosata" in nessuna sua parte.
D'altro canto,
lo svantaggio
di questa classe di funzionamento è il basso rendimento (cioè
la potenza resa in rapporto alla potenza assorbita dall'alimentazione),
dato
che il transistor, dovendo condurre per tutta la durata di ogni ciclo
completo
del segnale, dissipa grande energia in calore per effetto Joule. Il
rendimento
tipico di un amplificatore in classe A supera
raramente il 30-40%: per ottenere 100Watt dobbiamo fornire, attraverso
l'alimentazione di collettore, almeno 250300Watt.
In classe B il
transistor
conduce per una durata pari alla metà del periodo del segnale
d'ingresso
(conduzione a 180°) e, come diretta conseguenza, la polarizzazione
alla base
del transistor dovrà essere uguale al suo valore di soglia di
conduzione (in un
transistor BJT al silicio il valore della soglia di conduzione è
compreso tra
600 e 700 mV).
Il rendimento
si alza notevolmente (55-65%) ma si introduce
una
considerevole distorsione, considerando che per metà periodo,
essendo il
transistor interdetto, il segnale amplificato d'uscita non segue alcuna
variazione d'ingresso.
La classe AB
è una via di
mezzo tra classe A e classe B ed anche il
rendimento
ha un valore compreso tra quello medio delle due classi. In questa
classe di
funzionamento il transistor viene
polarizzato con un
BIAS di base tale da consentire una conduzione superiore alla
metà del periodo
del segnale d'ingresso ma inferiore al periodo intero: la conduzione
è maggiore
di 180° ed inferiore a 360° .
Infine, la
classe C si ottiene stabilizzando il punto normale di lavoro,
affinché il
transistor possa condurre per meno della metà del periodo del
segnale entrante
(conduzione minore di 180°).
La
classe C ha il rendimento più elevato (70-80%) ma, per contro,
la distorsione
più alta. Se si osservasse
ciò che si ottiene al
collettore di un transistor funzionante in classe C, noteremmo un
segnale
impulsivo.
Per la
costruzione di amplificatori con bassa
distorsione, buona linearità e
fedeltà (come gli amplificatori audio) sono consigliabili le
classi A ed AB, pur
sacrificando un notevole dispendio energetico.
La classe B
tende sempre più
a scomparire, mentre la classe C è esclusivamente utilizzata per
l'amplificazione
di segnali sinusoidali a radiofrequenza in modulazione FM e CW
Innanzitutto,
è bene
precisare che per le classi B, C ed AB, limitatamente all'uso per R.F., è
necessario, all'uscita dell'amplificatore,
un circuito risonante LC. Infatti,
poiché per queste
tre classi di funzionamento la conduzione della corrente di collettore
non
avviene per tutta la durata del periodo del segnale entrante, un
circuito
risonante, sintonizzato sulla frequenza del segnale amplificato e posto
sull'elettrodo di collettore del transistor, costituisce un efficace
"circuito volano".
Proprio come in
una macchina
meccanica a scoppio, le piccole e brusche spinte energetiche dello
scoppio vengono dosate ed equilibrate da un
disco volano per creare
un regolare ciclo macchina, così, il circuito risonante
all'uscita
dell'amplificatore, stimolato dai brevi impulsi della corrente di
collettore, inizia
ad oscillare alla sua frequenza di risonanza, tramutando un segnale
impulsivo
in una completa onda sinusoidale a 360° (vedi figura 3).
L'AMPLIFICATORE IN
CLASSE C
Si può
ben immaginare quanto
sia conveniente far lavorare gli
amplificatori in
classe C, vista l'utilità del circuito volano. Questa classe di
funzionamento,
infatti, ha un rendimento molto elevato; questo perché il componente
attivo lavora solo per brevi istanti di tempo, dopodiché, con il
circuito
volano, è possibile anche ricostruire un'intera onda di
360°. Un problema è che
il circuito volano ricostruirà solo sinusoidi e non un qualsiasi
altro segnale
variabile non sinusoidale. Il circuito volano, essendo un circuito LC
sollecitato da impulsi esterni, oscilla alla sua frequenza di risonanza
ma la
sua oscillazione segue rigorosamente una legge sinusoidale. Per tale
motivo,
gli amplificatori in classe C possono essere utilizzati solo in pochi
campi
applicativi, cioè quando si voglia
amplificare
semplici segnali sinusoidali.
Se applicassimo all'ingresso di un
amplificatore in
classe C un segnale variabile non sinusoidale, otterremmo in uscita un
segnale
amplificato con la stessa frequenza di quello entrante ma con una forma
d'onda
sinusoidale.
Ecco, quindi,
che un
amplificatore in classe C risulta utile nel
campo
della radiofrequenza per la costruzione di amplificatori di
media/grande
potenza (data la sua vantaggiosa caratteristica di alto rendimento) e
nei casi
in cui si deve amplificare la sola onda portante (carrier).
Parlo di segnali a modulazione di frequenza (FM) oppure quelli di tipo mark/space come i segnali della modulazione
telegrafica
(CW) o quelli per radio-telescriventi (RTTY).
Un amplificatore
in classe C
non può essere idoneo per amplificazione di segnali a
modulazione d'ampiezza
(AM) o diretti derivati dell'AM come quelli in banda laterale (DSB ed SSB). In AM ed in banda laterale, l'inviluppo
dell'onda
modulata riproduce l'andamento del segnale elettrico modulante (quello trasdotto
dalla voce, per intenderci)
ed un amplificatore in classe C distorcerebbe, fino
all'intelligibilità,
l'informazione contenuta. In FM, invece, dove l'informazione è
implicitamente
contenuta in una lieve variazione della frequenza dell'onda portante e
non in
una variazione d'ampiezza, l'amplificazione in classe C è una
cosa possibile
(ed anche conveniente) perché ciò che verrà
amplificato dal transistor è la sola onda portante, la cui forma
è
semplicemente sinusoidale.
Il progetto di
un
amplificatore in classe C con transistor BJT risulta, sotto certi
aspetti, più
semplice rispetto al progetto per classi di funzionamento diverse.
I sacri testi di elettronica affermano che per polarizzare in
classe C un
transistor BJT è necessario un BIAS negativo, quanto basta per
farlo lavorare leggermente
sotto la soglia d'interdizione.
Con i
transistori BJT
opportunamente studiati per applicazioni RF, nella realtà dei
fatti, la classe
C è possibile ottenerla in un modo ancor più banale, cioè
semplicemente omettendo la polarizzazione all'elettrodo di base. In tal
caso,
la conduzione si avrà, comunque, per
un tempo minore
alla metà del periodo del segnale d'ingresso, poiché il
segnale da amplificare
applicato sulla base, in assenza di BIAS, porterà in conduzione
il transistor
solo a partire dal valore di soglia (circa 650-700mV) e smetterà
di condurre
quando l'onda alla base scenderà al di sotto della stessa soglia.
Per amplificare
segnali AM o
in banda laterale, il componente attivo
dell'amplificatore deve, necessariamente, lavorare in classe A o AB
(quest'ultima
è sicuramente quella più usata).
IL
CIRCUITO ELETTRICO: PROGETTO E DIMENSIONAMENTO
Il circuito
elettrico
dell'amplificatore FM proposto è molto semplice, specie per la realizzazione pratica, un po' meno per ciò
che riguarda il dimensionamento.
La configurazione circuitale è quella tipica degli amplificatori
transistorizzati in classe C, cioè
senza alcuna
polarizzazione di base e con i due circuiti di accordo LC per
l'adattamento
d'ingresso e d'uscita (vedi figura 4).
Questi filtri
LC, in
configurazione a "T", sono dei veri e propri "transmatch",
cioè adattatori
o trasformatori d'impedenza: devono essere calcolati per risuonare alla
stessa
frequenza del segnale R.F. ed in base
all'accordo da
realizzare tra l'impedenza d'ingresso e d'uscita.
Per dimensionare
i componenti del circuito LC d'ingresso
(C3, C4, L3) si deve,
innanzitutto, definire il giusto fattore di merito Q.
Guardando i
data sheets dell’ SD1274, si
può conoscere il
valore d'impedenza d'ingresso del componente. Questo valore è
legato alla
potenza del segnale entrante, alla frequenza ed al valore di tensione di alimentazione:
input Ohm = 1,0
+ j0,4
(per Pin=3Watt, F=175MHz, Vcc=12,5 Volt)
Questo dato
sarà il nostro
valore di riferimento anche se opereremo a 145MHz e con una potenza
d'ingresso
inferiore. Del resto, il valore d'impedenza d'ingresso per questi transistors varia talmente poco con la frequenza
e la
potenza d'ingresso che un eventuale "delta" può essere considerato trascurabile. In altri casi, i data-sheets riportano le impedenze leggibili
direttamente
sulla carta di Smith.
Il valore
d'impedenza è
espresso attraverso un numero complesso, in cui la prima parte, ovvero
l'aliquota
reale, rappresenta la componente resistiva
dell'impedenza del transistor, mentre la seconda parte esprime
l'aliquota
immaginaria che rappresenta la componente reattiva. In modulo, questa impedenza, risulta:
à
![]()
Ora si passa a
definire il
fattore di merito Q della rete LC: il fattore di merito delle reti
d'accordo
per un amplificatore amatoriale sui 145MHz può spaziare tra un
valore di 6 ed
uno di 15. Non è consigliabile scegliere un Q troppo alto
perché la taratura
per sintonizzare il circuito sarà molto complessa e, senza gli appositi strumenti di misura, sarà molto
improbabile
riuscire a centrare la sintonizzazione per il giusto accordo, con
conseguente
disadattamento, distorsione e riflessione delle onde. D'altra parte,
scegliendo
un Q non molto alto, dovremo accontentarci di un amplificatore poco
selettivo,
a larga banda e che amplifica anche una congrua quantità di armoniche.
In questo progetto ho scelto un valore intermedio pari a 10. Il passo
successivo è il calcolo delle reattanze. La reattanza serie, che
nel nostro
caso è quella induttiva (vedi
circuito elettrico),
sarà:
![]()
in cui Zout è l'impedenza d'uscita del filtro che deve coincidere con l'impedenza d'ingresso del transistor (cioè 1ohm). Per conoscere le reattanze capacitive dei due condensatori, per semplicità, si calcolano prima i due fattori alfa e beta, tenendo in considerazione le seguenti equazioni:
![]()
in cui Zout
è l'impedenza
d'uscita del filtro, Zin è
l'impedenza d'ingresso del
filtro, che deve essere pari all'impedenza di 50ohm, e Q è il
fattore di merito
della rete. Il valore di a coincide con il fattore di merito sotto
carico, indicato anche come QL, mentre il fattore b
rappresenta la resistenza
virtuale della rete, altrove indicata anche come Rv
(vedi teoria delle reti elettriche).
Quindi, passando ai calcoli, abbiamo:
![]()
Il calcolo delle
due
reattanze capacitive è molto semplice:

Quindi:

La frequenza di
lavoro è
145MHz ed abbiamo tutti i dati per passare dai valori delle reattanze a
quelli
induttivi e capacitivi:



E' naturale
usare dei
compensatori anziché dei condensatori con valore fisso,
cosicché per C3
andrebbe bene un compensatore 10-60pF e per C4 uno identico con
in parallelo un condensatore a valore fisso di 56pF. Il
procedimento di
calcolo per il dimensionamento del filtro in uscita è simile a
quello già
visto, tenendo presente che il filtro viene
utilizzato
"al contrario", cioè con l'ingresso sulla bobina e l'uscita sui
condensatori. Difatti, nel caso del filtro d'uscita, l'adattatore
d'impedenza
deve “matchare"
(accordare) un'impedenza bassa (quella d'uscita del transistor) con
un'impedenza
alta (quella del carico dell'antenna) e non un'impedenza alta con una
bassa,
per il filtro d'ingresso.
Dimensioniamo,
ora, il
filtro d'uscita.
"In primis" va
calcolata la giusta impedenza di carico del transistor in condizioni di lavoro, attraverso la seguente equazione:
![]()

Questo valore rappresenta l'impedenza d'uscita del transistor che deve corrispondere con l'impedenza d'ingresso del filtro d'uscita, cioè 50ohm. Le reattanze vanno calcolate così:
![]()


Passando ai calcoli:
![]()


Per un segnale R.F. di 145MHz queste reattanze equivalgono a:



Per C6 si
può usare un
compensatore ceramico da 1,5-20pF o di valore più alto, mentre
la capacità di
C7 deve essere realizzata con un compensatore ceramico 10-60pF in
parallelo ad
un condensatore ceramico da 22pF.
Rimangono le
ultime tre
induttanze L1, L2, L4.
L2 deve essere
dimensionata
per risuonare con la capacità parassita tra collettore ed
emettitore del
transistor. Poiché l'SD1274 offre
una capacità
d'uscita di circa 100pF, l'induttanza L2 deve essere di 13nH. L1 ed L4 sono
delle R.F.C. (acronimo di Radio Frequency
Choke) o, più semplicemente, "chokes". Questo termine (si pronuncia [tok]) deriva dall'inglese e significa
"strozzatura" o "soffocatura". In effetti, queste induttanze hanno un valore molto
alto, poiché
devono comportarsi come una strozzatura per il segnale R.F.
scorrente nel circuito. In particolare, L1 ha la funzione
precisa di
bloccare la corrente a radiofrequenza che altrimenti si dirigerebbe
verso il
polo positivo dell'alimentatore. In parte,
questa funzione
è già svolta dall'induttore L2, posto sul collettore del
transistor ed in serie
ad L4, ma la sua funzione non è
quella di choke, poiché la sua
induttanza non è molto elevata.
Queste chokes
(L1, L4), essendo delle normalissime induttanze, si comportano come
corti
circuiti per la corrente continua, mentre costituiscono un vero e
proprio
"muro" per la R.F.
Infatti,
la corrente continua di polarizzazione del transistor, per giungere
all'elettrodo di collettore, passa senza alcun ostacolo attraverso L1
ed L2. La
choke L4 garantisce un collegamento netto
dell'elettrodo di base di TR con la massa, onde garantire la
polarizzazione
statica in classe C, ma per la R.F.,
questa R.F.C., vista la sua
induttanza/reattanza
elevata, è tutt'altro che un corto,
anzi quasi un
circuito aperto. Quest'ultima, oltre ad
un'induttanza
elevata (perciò viene scelta una choke),
deve avere anche un Q abbastanza basso alla frequenza del segnale R.F., affinché sia scongiurata la
risonanza con la capacità
parassita che il transistor presenta tra base ed emettitore, pena un
fenomeno
auto-oscillatorio. Viene scelta una VK200:
una choke per segnali VHF
commercializzata, già molto tempo fa,
dalla Philips. Si tratta di un piccolo
filo nudo
insinuato in cinque fori di una bead
(perlina) di ferrite.
Altre chokes equivalenti sono le VHF-bead-Siferrit
di Siemens, oppure le FB-43-5111 di
Amidon.
In foto 1
ci sono alcuni
tipi di chokes per alimentazione.
UN
PROBLEMA NEL PROGETTO E NELLA REALIZZAZIONE
DEI CIRCUITI R.F.
Chiunque disegna
e realizza
progetti per radiofrequenza conosce uno dei più ostici problemi di questo campo: l'autocostruzione
delle induttanze. Questo problema affligge, maggiormente, colui
che opera con trasmettitori ed amplificatori, cioè con
circuiti in cui
ci sono potenze di un certo rilievo (dal Watt fino ai KWatt).
Infatti, quando si devono realizzare circuiti in cui circolano segnali
di una
certa potenza non è possibile
utilizzare le piccole
induttanze commerciali da acquistare già belle e pronte. Queste
hanno valori abbastanza
precisi ma sono idonee solo per potenze molto modeste. Ma se volessimo
realizzare dei solenoidi in aria, l'unica alternativa è l'autocostruzione.
Tuttavia, esistono delle formule (ad esempio quella di Nagaoka
o altre derivazioni) e delle tabelle per calcolare teoricamente il
valore di
un'induttanza in base al suo numero di spire, alla sua lunghezza, al
suo
diametro; ma questi calcoli offrono solo un valore di riferimento
teorico che,
molto spesso, è poco attendibile dalla realtà.
Insomma, pur
realizzando
delle bobine a "regola d'arte", rispettando con estrema precisione la
lunghezza, il diametro, il numero delle spire e la geometria (cosa di per se già improbabile), non potremo
essere sicuri che il
valore reale risulti uguale a quello del calcolo teorico. Ciò
non giustifica la
necessità di disporre di un induttanzimetro
o di un ponte RLC, perché un ponte RLC professionale ed
affidabile costa alcune
decine di milioni di lire. Inoltre, con un ponte RLC, difficilmente
riusciremo
a misurare induttanze per VHF , cioè
nell'ordine delle
decine di nanoHenry, dato che questi
strumenti
misurano induttanze a partire dalle centinaia di nanoHenry.
Scartando
l'ipotesi del
ponte RLC, rimane quella dell'induttanzimetro:
uno
strumento di grande precisione (0,1-0,3%)
specifico
per le misure delle sole induttanze e con la possibilità di
misurare anche
valori molto bassi a partire dalle centinaia di picoHenry
in poi.
Ma buoni induttanzimetri
come quelli della BOONTON RADIO, W&G,
ROHDE &
SCHWARZ ecc., sul mercato dell'usato, non
valgono
sotto il milione di lire. Ad esempio, per un modello "63C" della
BOONTON RADIO, usato ma in discrete condizioni, mi hanno chiesto
1.100.000 lire
(circa 600 €) e si tratta pur sempre di uno strumento usato, la
cui tecnologia
risale ad oltre trent'anni fa !
Mi sembra, a tal
punto,
superfluo insistere sul fatto che una bobina non potrà essere
modellata e
misurata con estrema precisione, a meno che si abbia
la fortuna di disporre di un costoso induttanzimetro.
Rimane la rassegnazione alla ricerca del metodo empirico per
surclassare questo inconveniente. Per tale
motivo, il progettista R.F., sapendo preventivamente che
le sue bobine autocostruite non avranno il
valore preciso
che egli desidera, deve necessariamente compensare queste grosse
tolleranze
attraverso i trimmers capacitivi: i
compensatori,
appunto.
Poiché la capacità e l'induttanza sono
due elementi
reattivi opposti, un abbassamento della reattanza capacitiva può
compensare una
reattanza induttiva troppo alta e, viceversa, un innalzamento della
reattanza
capacitiva compensa una reattanza induttiva di valore più basso
del dovuto. Ecco perché vicino ai circuiti
risonanti non troveremo mai condensatori
a valore fisso (salvo eccezioni) ma sempre dei compensatori. Ed
ecco
perché, oltretutto, questi compensatori hanno spesso escursioni
di variazione capacitiva
anche molto grandi (in genere da 10-60pF o 10-180pF), onde assicurasi
di riuscire a compensare valori d'induttanze anche abbastanza
differenti da
quelli teorici di progetto. Se poi si considera che i reofori dei componenti e le piste del circuito stampato danno
vita ad
altri fenomeni induttivi (piccoli ma non trascurabili per frequenze
molto alte),
ci si rende conto di quanto divenga empirica la realizzazione dei
circuiti in
alta frequenza in cui l'uso dei compensatori è inevitabile.
LA REALIZZAZIONE PRATICA
Il layer,
cioè lo strato del circuito stampato,
è qualcosa di
semplicissimo da realizzare. Si potrebbe anche non costruirlo, saldando
i
reofori dei pochi componenti tra di loro e
lasciandoli
sospesi nel vuoto all'interno di una scatola di alluminio ben
schermata. La realizzazione con circuito
stampato, però, darà una
costruzione più ordinata. La base del circuito stampato è
meglio che sia di vetronite e non di
materiali più economici (bachelite o
altre resine fenoliche). E' bene che le piste siano di dimensioni
generose onde
evitare che spazi di rame troppo stretti possano dar vita a fenomeni
induttivi
che abbassino la potenza di emissione.
Bisogna anche
evitare piste
di rame troppo vicine, pena la possibilità di qualche fenomeno
capacitivo che,
seppur trascurabile, ci renderà la vita difficile con qualche
brutta
auto-oscillazione. Il resto è banale, dato che tutto il
montaggio dei componenti è di tipo
superficiale e non richiede la foratura
della vetronite se non per il perno
assiale del
transistor e per qualche vite di ancoraggio del radiatore di calore.
Infatti,
il package dell'SD1274 è un 4L-STUD,
con diametro del
corpo cilindrico da 0,38 pollici (quasi un centimetro) ed un perno
longitudinale filettato per l'ancoraggio sottostante di un dissipatore
assiale
orizzontale. Il transistor viene saldato
con i suoi
quattro reofori sul lato superficiale della base di vetronite,
facendo ben attenzione che tali reofori siano perfettamente planari ed
aderenti
alle rispettive piste di rame su cui vanno saldati. In seguito, viene avvitato il dado di fissaggio insieme ad
una rondella
che garantisce una buona presa meccanica. In
figura 5
sono disponibili i dettagli costruttivi di tutte le induttanze (bobine
a
solenoide e chokes sull'alimentazione).
L'induttore
L2, per essere un solenoide in aria da 13nH,
avrà 2
spire di filo di rame (meglio se nudo ed argentato ma va bene anche
quello smaltato)
da 0,6mm (AWG22/ SWG23) avvolte su un diametro interno di 3mm e per una
lunghezza di 4mm.
L3 è
molto simile ad L2: per realizzarla basta
effettuare una copia identica
di L2 e poi allargare leggermente la spaziatura delle spire fino
à passare da una
lunghezza complessiva della bobina di 4mm ad una lunghezza di 3,5mm.
L5, invece,
è una bobina in
aria costituita da 4 spire serrate di filo smaltato da 1mm
(AWG18/SWG19) su un
diametro di 6mm (vedi figura 5).
Per rispettare fedelmente
il diametro interno di L3 ed L5, queste
bobine possono
essere avvolte su punte da trapano da 3 e da 6. Il disegno del layer è in figura 6.
Insieme a quest'ultimo
c'è anche il disegno d'assieme con i
componenti, la lista
dei componenti ed in
il primo prototipo da me realizzato in foto 2
(su un vecchio
circuito stampato molto simile a quello di figura 6).
Assicurarsi, inoltre, che
le bobine L3, L5 ed L2 siano tenute alte a
circa mezzo
centimetro dalla superficie; anche i compensatori e le chokes,
L1 ed L4, a circa tre millimetri d'altezza.
In ingresso ed
in uscita
vanno saldati due bocchettoni a PL o ad N
o, ancora
meglio, due connettori BNC. Credo che i connettori BNC siano i migliori
perché garantiscono
un ottimo ancoraggio meccanico e, di conseguenza, un buon contatto
elettrico di
massa. Del resto l'affidabilità di questo connettore è
provata dalla sua stessa
storia, che vide la marina militare americana usarli per la prima volta
dietro specifica richiesta di progetto e di
realizzazione
(infatti, la sigla BNC è acronimo di "Bayonet
Navy Connector",
cioè connettore
a baionetta per la marina). I condensatori variabili C3,C4,C6
e C7 devono essere ceramici per alta frequenza: io ho recuperato
qualche
vecchio compensatore ceramico rettangolare (oggi un po' difficili da
reperire
in commercio) e qualche compensatore ceramico di forma circolare. E'
sconsigliato ripiegare su compensatori in altri materiali che sono
facilmente
reperibili in commercio ma non idonei per applicazioni in alta
frequenza. I
condensatori C5 e C8 devono essere di tipo ceramico NP0, cioè
con coefficiente di temperatura nullo. I condensatori ceramici NP0 sono
quelli
più stabili ed idonei per applicazioni in alta frequenza e si
riconoscono da
una fascetta nera stampata sulla parte superiore del loro corpo. Ultima
cosa da
accennare, ma non per questo meno importante, è la perfezione
delle saldature:
queste che devono essere lucide e non eccessivamente corpose. Nei
montaggi in
alta frequenza la qualità delle saldature riveste un ruolo
prioritario,
influendo per un buon 40% sulla riuscita della realizzazione.
LA
TARATURA
La calibrazione
dei quattro compensatori è la fase più delicata ed
impegnativa della
realizzazione di questo amplificatore. Quanto più sarà accurata questa
taratura, tanto più
soddisfacenti saranno le prestazioni del dispositivo. Molto dipende
anche dalla
qualità del montaggio: la precisione con cui si sono costruite
le tre bobine
L2, L3 ed L5, la qualità delle
saldature e la qualità
dei componenti, specie i compensatori. Se si dispone
di
tutti gli strumenti di misura, la taratura non sarà
particolarmente impegnativa
e non costituirà uno “spauracchio”, anzi
potrà risultare divertente ed anche
molto auto-istruttiva, dando la possibilità di sperimentare
molte situazioni.
Gli strumenti
essenziali sono un affidabile wattmetro
passante ed un carico fittizio
a 50ohm in grado di dissipare energia a 50Watt/s (meglio se 100Watt/s,
nel caso
volessimo testare l'amplificatore anche a potenze superiori, con
pilotaggi
maggiori di 1Watt). In alternativa al
carico fittizio
si può usare anche un'antenna per i 2 metri, con relativo cavo
coassiale a
50ohm. E' poi necessario anche un tarino,
cioè un
piccolo cacciavite anti-induttivo per le
tarature dei
compensatori. Il wattmetro viene inserito
tra l'uscita
dell'amplificatore ed il carico fittizio. I collegamenti vanno,
ineccepibilmente, realizzati con cavo coassiale a 50ohm (RG58, RG8,
RG213 ecc.)
sia in ingresso che in uscita tra amplificatore, wattmetro e carico
fittizio o
antenna. Dopo aver alimentato il circuito con una tensione di 12,5V,
conviene
cominciare a toccare i condensatori variabili C3 e C4 per ottenere la
massima
potenza leggibile sul wattmetro. Si può anche interporre un
tester (in funzione
amperometro) in serie ad un qualsiasi polo dell'alimentatore e cercare
di aggiustare
C3 e C4 per la massima lettura di assorbimento
di
corrente. Si passa, poi, ai due condensatori variabili del filtro
d'uscita (C6
e C7) per ottenere la più alta lettura di potenza sul wattmetro.
Disporre di un
analizzatore di spettro sarebbe il massimo per la messa a punto e per
la
verifica delle caratteristiche. Questo prezioso ma costoso strumento
è
appannaggio di pochi fortunati e solo
questi ultimi
avranno la possibilità di osservare la purezza spettrale
dell'emissione e
notare eventuali problemi di auto-oscillazioni.
Ultimi consigli
pratici per
la taratura: se ci fossero
difficoltà di taratura
dell'amplificatore, si deve provare a ritoccare la bobina L3 ed, in
particolare
modo, la spaziatura delle sue spire. Se i problemi di taratura
persistono (il
segnale è troppo spurio e distorto, oppure la potenza è
troppo bassa),
significa che i valori delle induttanze L3 ed
L5 sono
ancora abbastanza lontani da quelli di progetto. Perciò, come ulteriore azione, si prova ad eliminare i
condensatori C5 e
C8 e sostituire C4 e C7 con due compensatori ceramici da 10-180pF e C6
con uno
da 5-45pF (è importante che parta da 5pF o meno). Se
dovessero ancora insistere problemi, provate a ricostruire L3,
avvolgendo una
sola spira dello stesso tipo di filo su un diametro di 4mm (si
può usare una punta
da trapano da 4) e per una lunghezza di 4mm. Inoltre, fate
attenzione
anche alla lunghezza dei cavetti coassiali in ingresso ed in uscita:
qualcuno
di essi potrebbe entrare in risonanza.
L'ALIMENTAZIONE
Ed ora, due righe sull'alimentazione.
Poiché il progetto è dimensionato per
un'alimentazione di
12,5V, l'alimentatore può esserne uno qualsiasi da 12V e capace
di erogare
almeno 4 Ampere (meglio se 5A) per la massima potenza
dell'amplificatore. Un
amplificatore in classe C ha un rendimento del 70-75% circa: questo
significa
che per la massima potenza d'uscita (oltre 35 Watt) è bene che
l'alimentatore
sia dimensionato per almeno 50 Watt o più. Chi
desidera
dilettarsi anche nell'autocostruzione
dell'alimentatore può montare il circuito di figura 7
su una comoda base millefori disegnandosi
il circuito stampato. Questo
circuito l'ho dimensionato per una potenza ben più grande di
quella necessaria
per l'amplificatore. Il cuore del circuito alimentatore è
l'integrato
regolatore di tensione LM7812. Il transistor è un darlington
PNP di tipo MJ4030 e realizza lo stadio di potenza dell'alimentatore.
Esso ha
la capacità di far circolare, tra collettore ed emettitore, una
corrente fino a
16A con una potenza dissipabile di 150Watt.
Di grande
importanza sono le due impedenze, in serie ai due poli d'uscita, per
evitare
rientri di R.F. dall'amplificatore. Io ho usato due chokes
recuperate da
alcuni rottami. Trattasi di bobine con un valore compreso tra 5 e 10microH. Chiunque può costruirle,
avvolgendo su un nucleo
cilindrico di ferrite (lungo circa 6,5cm e di diametro 1,5cm) da una
quindicina
ad una ventina di spire serrate di filo smaltato da 1-1,2mm.
Si possono anche
avvolgere
da una decina ad una quindicina di spire dello stesso filo smaltato su
un
nucleo toroidale T80/17 o T80/ 10.
Riferimenti
bibliografici:
"RF
& Microwave power transistors databook"
SGS
Thomson Microelectronics, 1st. edition 1989
R.S.
Hewes, G.R. Jessop
"Radio Data Reference Book"
Radio Society of